inas材料是材料砷化铟。砷化铟(InAs)是什材III-V族半导体材料中一种重要的窄直接带隙半导体,大激子波尔半径、材料易形成欧姆接触等优良特征。什材为了更好地实现InAs纳米线的材料优异性能,
名 称必填
邮 箱选填
网 址选填
评论专区